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国外集成电路企业在华布局(二)|半导体行业观察

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发表于 2018-8-9 05:46:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
来源:本文由 公众号 半导体行业观察(ID:icbank),转载自「SIMIT 战略研究室」,谢谢。
改革开放以来,中国的电子产业飞速发展。庞大的需求也推动国外半导体企业在国内的生根落户。在本文,作者总结了国外知名半导体公司在国内的布局,让大家对这部分有深刻的了解。另外,如果文中有错漏,请各位读者补充。谢谢!
二、制造企业在华布局
(一)台积电(TSMC)
台积电在大陆投资模式有别联电、力晶以 " 和大陆官方合资 " 进行,而是独资设厂;在大陆布局 20 多年的巨大,目前在陆共 6 座厂,大陆市场销售额占整体营收约 3 成。
台积电投资重心仍集中台湾,除了 12 寸规模已近百万片,是大陆的 50 倍外,未来配合台湾全力协助解决 3nm 所需的水、电、土地及环评,投资金额高达 5000 亿元新台币的 3nm 投资计划。


表 10 台积电在大陆成立公司列表
1. 重要事件
2016 年 3 月份由张谋忠亲自领军与南京市政府签署协议,将投资 30 亿美元,也是台湾历年来对大陆最大的单笔投资,在南京建立一座 12 英寸晶圆工厂及一个设计服务中心。
台积电规划,南京 12 英寸晶圆厂预计 2018 年下半年开始量产 16 纳米制程,单月产能规模约 2 万片,预计占台积电总产能的 2.5%。
大陆只是台积电全球布局的一环,因大陆客户近年来占台积电营收占比快速成长,为就近服务客户,才会选在南京设厂。" 独资 " 南京建厂的台积担心核心在大陆建厂会让机密泄露。电台积电也回复,首先 " 独资 " 的形式就是一种保护,另外台湾最先进的制程、最重要的生产与研发基地仍在台湾。
通过分析 " 独资 " 的台积电在大陆建厂却并不愿意分享技术果实,实为形势所迫,张谋忠说 " 即使现在去也已经晚三星一年,但再不登陆,未来恐将毫无竞争力,实在是时间已晚,不得不去 "。这就是来大陆开厂的本意。
2017 年 12 月,台积电取得坐落江苏省南京市浦口经济开发区步月路以北、云杉路以西、秋韵路以南土地的 50 年使用权。取得土地面积达 503627 平方米,总交易金额达人民币 1.73 亿元,等于一坪新台币 5,159 元(每平方米仅 345 元人民币),以南京当地工业土地价格每平方米约人民币 1215 元相比,台积电的取得成本只有市价的 28.4%。台积电的南京厂将在 2018 年第 2 季开始生产,后续还有扩产计划,新取得的土地将用来兴建南京厂第二期工程并扩充产能。
台积电南京厂 2018 年将以 16nm 工艺接单生产,将成为大陆地区唯一可提供 16nm 先进工艺的晶圆代工厂,而根据台湾政府规定,台积电台湾厂区 2018 年可进入 7nm 量产,所以南京厂 2018 年将可以进入 10nm 制程,未来扩充的产能将可用来建置 10nm 产能,继续维持在大陆的先进工艺领先地位。
(二)格芯(GlobalFoundries)
格芯在北京、上海设有设计中心,主要着重在特殊应用 IC 领域、各技术节点代工设计服务。作为全球信息技术产业都在关注的项目,格芯成都项目是格芯在全球投资规模最大、技术水平最先进的生产基地,也是四川改革开放以来最大外资项目,为业内人士所熟知。
2017 年 2 月 10 日,格芯成都项目宣布开工,美国 Globalfoundries 时任 CEO 桑杰贾亲临成都,为该项目培土奠基。3 月 16 日,格芯 ( 成都 ) 注册成立。格芯成都项目总投资约 100 亿美元,将建设全球首条 22 纳米 FD-SOI 先进工艺 12 英寸晶圆代工生产线,格芯占股 51%,携手成都打造世界级的 FD-SOI 生态系统。
该产线属于特色工艺,建成后有望改变目前国内厂商始终处于追赶地位的现状,实现 " 换道超车 ",同时会让四川的晶圆制造业一步跃入国际主流水平。
格芯成都项目分为两期建设完成,预计 2018 年年底完工的一期工程, 建设当前主流 CMOS 工艺 12 英寸晶圆生产线,0.18/0.13um 工艺,月产 20000 片,预估 2018 年投产;二期工程建设格芯最新且独有、全球领先的 22nm FD-SOI 工艺 12 英寸晶圆生产线,月产 65000 片,2018 年开始从德国 FAB 转移,计划 2019 年投产。
2017 年 5 月,格芯与成都市政府合作启动 "FD-SOI 产业生态圈行动计划 ",首先是基于格芯独有的、最新的、全球领先的 22 纳米 FD-SOI 工艺,计划用 6 年时间,合建世界级的 FD — SOI 生态系统,助推成都成为全球卓越的集成电路设计和制造中心。几家领先的半导体公司已经承诺共同支持生态圈动议,格芯的领先 IP 开发合作伙伴 Invecas 承诺在成都建立一个研发中心为 FD-SOI 开发先进的 IP 和设计并提供支持。
从格芯公司本身来看,格芯需要推广这项工艺,借用 " 生态圈 " 鼓励中国的客户,基于这项新工艺去开发企业的产品,这对增强格芯公司的市场竞争力助力颇多;
另一方面,从成都乃至四川的产业发展来看,格芯成都项目所采用的 22 纳米 FD-SOI 工艺,能够大力支持成都和四川的半导体和系统公司在移动、互联、5G、物联网和汽车市场等方面, 开发出能耗更低、成本更低的产品, 去赢得未来市场。因此这是一个多方共赢的计划。
格芯不仅不断加大对中国市场的投入,也以其领先的差异化技术为中国客户提供支持。格芯 22FDX 技术近日已被三家中国本土客户采用。上海复旦微电子集团有望采用格芯 22FDX 平台开始设计开发具有高可靠性的服务器与人工智能及智能物联网领域的智能产品;瑞芯微电子计划采用格芯 22FDX 工艺技术技术设计超低功耗基于无线连接的智能硬件 SoC,同时也用于设计高性能的人工智能应用处理器 SoC。此外,国科微计划在下一代物联网芯片产品的研发中导入低功耗的 22FDX 技术,并在未来进行正式量产流片。
2. 成都政府支持
在四川省、成都市和成都高新区各级政府的支持下,成都项目采用 "5+2" " 白 + 黑 " 的施工方式,并增配管理人员及机具设备、加倍资金投入,与项目设计方、承建方的通力协作,保障项目高效的建设进度,以期在预定期限内建设完成。
成都市经济和信息化委员会牵头多部门共同研究制定 "FD-SOI 产业生态圈行动计划 ",在全市率先提出实施生态圈推进方式。鼓励金融机构以多种方式参与成都市优质企业和重大项目股权投资。
2018 年年 3 月 23 日,成都市印发了 " 集成电路十条 ",内容涉及对集成电路相关企业在基础设施配套、人才培养等多方面的优惠政策。在有效践行 " 外引 + 内培 " 模式下,德州仪器、联发科、飞思卡尔、展讯等国际巨头相继引入成都。随着格芯成都项目的落户,无疑加速成都形成了从集成电路设计、晶圆制造到集成电路封装测试的完整产业链,进一步强化成都电子信息产业生态系统 , 完成成都 " 一屏一芯 " 的战略布局。
(三)台联电(UMC)
台联电(UMC)成立于 1980 年,早于台积电创建,曾经领导了中国台湾地区半导体业的发展。联电也是台湾第一家上市的半导体公司(1985 年)。
台联电拥有包括 28 纳米 Poly-SiON 技术、High-K/MetalGate 后闸极技术、混合信号 /RFCMOS 技术,以及其它涵盖广泛的特殊工艺技术。联电现共有 11 座晶圆厂(包括正在建设中的),其中包含位于台湾的 Fab 12A 与新加坡的 Fab 12i,以及厦门在建的 Fab 12X 这三座 12 英寸厂。Fab 12A 厂位于台南,目前生产 28nm 制程产品,其单月晶圆产能超过 50,000 片,第一至四期目前生产最先进至 28nm 的产品,第五、六期已兴建完成,第七、八期则已在规划当中。Fab 12i 位于新加坡,这座第二代 12 英寸晶圆厂单月晶圆产能为 45,000 片。除了 12 英寸厂外,联电拥有七座 8 英寸厂与一座 6 英寸厂,其它 Fab 及服务据点则分散在台湾、日本、韩国、中国大陆、新加坡、欧洲及美国等地。


表 11 台联电在大陆成立公司列表
1. 福建晋华项目
福建省晋华集成电路有限公司是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。公司与台联电开展技术合作,投资 56.5 亿美元,在福建省晋江市建设 12 英寸内存晶圆厂生产线,开发先进存储器技术和制程工艺,并开展相关产品的制造和销售。
2017 年 7 月,台联电与福建晋华集成电路公司合作的 12 英寸随机存取存储器(DRAM)生产线 (晋华项目),在福建省泉州晋江市进行动工奠基仪式。整体晋华项目的第 1 期,总计将投入 53 亿美元,并将于 2018 年第 3 季正式投产,届时导入 32nm 制程的 12 英寸晶圆月产能,预计达到 6 万片的规模。
晋华项目已列入国家 " 十三五(2016~2020 年)" 集成电路生产力规划的重要布局中,并且获得国家专项建设基金支持,也就是来自福建省安芯产业投资基金的投资。该基金由 " 国家集成电路产业投资基金 " 与福建省、泉州市、晋江市等三级政府所共同发展设立,目标规模为 500 亿人民币。
2. 重要事件
2017 年 12 月 4 日,美光根据 " 保护商业秘密法 " 向北加利福尼亚州联邦法院提起民事诉讼,并针对联电和中国福建晋华集成电路公司盗窃其商业秘密和其他不当行为。晋华集成电路公司已从联电转让技术,并在当地投资 56.5 亿美元建一家工厂进行内存芯片生产。
2018 年出,台联电表示,正在福州市中级人民法院对美光半导体(西安)有限公司和美光半导体(上海)有限公司提起诉讼。这起诉讼涉及涉嫌侵犯联电在中国的专利权的三个方面,包括与 DDR4、固态硬盘和显卡所使用的内存有关应用。在诉状中,台联电已经要求法院命令被告停止生产、加工、进口、销售和打算销售涉嫌侵权的产品,销毁所有库存和相关的模具和工具,并要求美光赔偿联电的总金额 2.7 亿元人民币(4180 万美元)的损失。
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